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J-GLOBAL ID：201002228698541826   整理番号：10A0548462

c面とm面InGaN系発光ダイオードのキャリアスピルオーバ効果に関して

On carrier spillover in c- and m-plane InGaN Light Emitting Diodes

著者 (8件)： LEE J. (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  LI X. (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  NI X. (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  OEZGUER UE. (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  MORKOC H. (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  PASKOVA T. (Kyma Technol., Inc., NC, USA) ,  MULHOLLAND G. (Kyma Technol., Inc., NC, USA) ,  EVANS K. R. (Kyma Technol., Inc., NC, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7602  ページ： 760224.1-760224.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 効率キラーキャリアスピルオーバへの分極誘起電界効果を把握するため,c面GaNテンプレートとm面GaNバルクウエハ上に成長した,6×12nmバリア/2nm量子井戸(QW)活性領域を有する電子阻止層(EBL)有無によるInGaN発光ダイオード(LED)の内部量子効率(IQE),相対外部量子効率(EQE)と注入電流によるその劣化について調べた。EBL有りの場合,m面InGaN系LEDは,最高2250Acm^-2の最大電流密度まで殆ど完全にその効率を維持したが,c面LEDの場合,約40%の効率低下を示した。さらに,m面とc面LEDは,EBLなしの場合,キャリアスピルオーバに明らかに起因した,~80%の総効率の大劣化を生じたが,電流密度の増加とともに,殆どまたは何の劣化もしなかった。また,全光共鳴励起測定により求めた,m面とc面LEの内部量子効率(IQE)は,EBLの有無に無視可能な依存性を示した。分極性c面LED中分極誘起電界の存在と非分極性m面LED中分極誘起電界の欠如から,以前の報告とは反対に,キャリアスピルオーバ(溢出)効果に関係した効率ドループ(低下)への分極効果は支配的でないことがわかった。m面LEDについて調べた大半の電流範囲で,相対EQEは殆ど一定を保つため,スピルオーバは駆動電流に線形比例することを明らかに示した。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *発光ダイオード ,  *量子効率 ,  スピルオーバ ,  窒化ガリウム ,  キャリア密度 ,  電流密度 ,  多重量子井戸 ,  ウエハ【IC】 ,  エネルギー変換効率
準シソーラス用語： InGaN ,  内部量子効率 ,  外部量子効率 ,  キャリアスピルオーバ ,  発光効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  キャリア ,  スピルオーバ効果