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J-GLOBAL ID：201002229549665888   整理番号：10A0322135

GaAs量子井戸へのFe₃O₄スピンフィルタを横切る有効なスピン注入

Efficient spin injection into GaAs quantum well across Fe₃O₄ spin filter

著者 (6件)： WADA E. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  WATANABE K. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  SHIRAHATA Y. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  ITOH M. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  YAMAGUCHI M. (Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furu-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  TANIYAMA T. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 10  ページ： 102510  発行年： 2010年03月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,Fe₃O₄電極を横切っての,GaAsへの有効なスピン注入を記した。GaAs量子井戸に注入する電子のスピン分極は,120Kより低温では有意な増大を示し,10Kでは33%の値に達した。この大きいスピン分極は,界面での絶縁性フェリ磁性Fe₃O₄層を横切るスピンフィルタリング効果に多分起因すると推論した。この結果は,Fe₃O₄層を横切るスピンフィルタリング効果が,半導体へのスピン注入効率の増大に対して非常に有望な手段であることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *注入 ,  スピン分極 ,  *量子井戸 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  フィルタ ,  酸化鉄 ,  磁鉄鉱 ,  温度依存性 ,  低温 ,  フェリ磁性体 ,  RHEED ,  MBE成長
準シソーラス用語： スピンフィルタ ,  *スピン注入

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  量子井戸 ,  スピンフィルタ ,  スピン注入