文献

J-GLOBAL ID：201002229844005911   整理番号：10A1124130

異なるキャリア濃度を持つ固有n型InNのテラヘルツ放射機構

Terahertz Radiation Mechanism of Native n-Type InN with Different Carrier Concentrations

著者 (8件)： HWANG Jenn-Shyong (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  TSAI Jung-Tse (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN Kuang-I (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Ming-Hsun (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  TSAI Chiang-Nan (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN Hon-Way (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  GWO Shangjr (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Meng-Chu (Inst. of Nuclear Energy Res., Taoyuan, TWN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 10  ページ： 102202.1-102202.3  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェムト秒光パルスによって励起された固有n型InNからのテラヘルツ放射の極性と機構を調べた。光学特性,電子濃度,および,結晶品質を,フォトルミネセンスとRaman散乱スペクトルにより評価した。電子濃度を0.35×10¹⁹~3.87×10¹⁹cm^-3と見積もった。より高い電子濃度を持つ試料からのテラヘルツ放射場の極性は,p-InAsからのものと反対で,主要な放射機構がドリフト電流であることを示している。しかし,より低い電子濃度の試料はp-InAsと同じ極性を示した。この条件下においては,主な放射機構は光-Dember効果である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： キャリア密度 ,  *窒化インジウム ,  *放射線 ,  フェムト秒 ,  光パルス ,  光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  Raman散乱 ,  光起電力効果 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： キャリア濃度 ,  *テラヘルツ放射 ,  光学特性 ,  フォトルミネセンス ,  Dember効果

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (15件)：

• WALUKIEWICZ, W. J. Phys. D. 2006, 39, R83
• RUFFENACH, S. Phys. Status Solidi A. 2010, 207, 9
• WILKE, I. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 221113
• AHN, H. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 232104
• WANG, X. Q. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 061907

タイトルに関連する用語 (4件)： キャリア濃度 ,  固有 ,  InN ,  テラヘルツ放射