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J-GLOBAL ID：201002230041632192   整理番号：10A0776374

Coドープ非晶質炭素膜におけるバイアス依存低磁場正磁気抵抗の観測

Observation of bias-dependent low field positive magneto-resistance in Co-doped amorphous carbon films

著者 (9件)： HSU H. S. (Dep. of Applied Physics, National Pingtung Univ. of Education, Pingtung 900, Taiwan) ,  CHUNG P. Y. (Dep. of Applied Physics, National Pingtung Univ. of Education, Pingtung 900, Taiwan) ,  ZHANG J. H. (Dep. of Applied Physics, National Pingtung Univ. of Education, Pingtung 900, Taiwan) ,  SUN S. J. (Dep. of Applied Physics, National Univ. of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan) ,  CHOU H. (Dep. of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun-Yat-Sen Univ., Kaoshiung 803, Taiwan) ,  SU H. C. (Industrial Application Office, National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu 300, Taiwan) ,  LEE C. H. (Dep. of Engineering and System Sci., National Tsing-Hua Univ., HsinChu 300, Taiwan) ,  CHEN J. (Corporate R&D/Advanced Package Technol. Div., Advanced Semiconductor Engineering Inc., Kaohsiung 811, Taiwan) ,  HUANG J. C. A. (Dep. of Physics and Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 3  ページ： 032503  発行年： 2010年07月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,高周波マグネトロンスパッタリングによるCoドープ非晶質炭素膜の大きな固有正磁気抵抗(PMR)について報告した。PMR効果は,バイアス電圧に依存し,その比は特定バイアス電圧でピークに達した。室温では,いくつかの試料中の最大PMR比は約10%であった。X線吸収分光分析とRamanスペクトル結果から,バイアス依存PMR効果の出現はsp²状態とCoドーパントに強く依存することが分かった。電圧と磁場によって制御可能な抵抗について説明するために,軌道Zeeman分裂と関連した現象論的モデルを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 非晶質 ,  *炭素 ,  *薄膜 ,  コバルト ,  ドーピング ,  RFスパッタリング ,  基板 ,  電気抵抗率 ,  電圧 ,  磁場 ,  制御 ,  *磁気抵抗 ,  Ramanスペクトル ,  X線吸収スペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子回折 ,  配位混合 ,  状態密度 ,  Zeeman効果 ,  モデル ,  提案
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  軌道混成 ,  現象論的モデル ,  高周波スパッタリング ,  石英基板 ,  *炭素膜 ,  電子線回折

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： CO ,  ドープ ,  非晶質 ,  炭素膜 ,  バイアス ,  低磁場 ,  磁気抵抗 ,  観測