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J-GLOBAL ID：201002230077484947   整理番号：10A0556274

逆円すい形状の柱構造を持つInGaNのLED

InGaN Light-Emitting Diodes With the Inverted Cone-Shaped Pillar Structures

著者 (5件)： LIN Chia-Feng (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LIN Chun-Min (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  CHEN Kuei-Ting (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  DAI Jing-Jie (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LIN Ming-Shiou (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 5  ページ： 458-460  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆円すい形状の柱構造を有するInGaNを基礎とするLEDを,柱構造についてはプラズマドライエッチングプロセスで,逆円すい形状の構造については光電気化学的(PEC)プロセスを用いて作成した。このPECプロセスを用いた柱構造のLED(PP-LED)の光出力電力は,柱構造のない標準的なLED(ST-LED)と比較して20mAの動作電流で42%増加した。また,光放射強度についても,PECプロセスで作られた台形端領域の近傍と柱構造の上で観察し,PECプロセスを用いないLED(P-LED)と比較して,PP-LEDの方が高かった。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  円錐 ,  *光電気化学 ,  *プラズマエッチング ,  半導体材料 ,  *半導体プロセス ,  放射強度
準シソーラス用語： InGaN

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 円すい形 ,  柱 ,  InGaN ,  LED