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J-GLOBAL ID：201002230797069386   整理番号：10A1340525

シリコン上HfO₂ゲート絶縁膜中の界面トラップの制御

Control of Interface Traps in HfO₂ Gate Dielectric on Silicon

著者 (1件)： TAN S. Y. (Chinese Culture Univ., Taipei, TWN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 11  ページ： 2435-2440  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS素子のスケーリングによりゲート漏れ電流が深刻な問題となっている。この対策として各種のhigh-k材料が検討されており,その中でHfO₂が期待されている。本稿では,Si上HfO₂ゲート絶縁膜のポストデポジションアニーリング(PDA)の影響を調べた。600°Cで各種条件について検討した。その結果,PDA中にHfO₂/Si界面の酸化,ディープ捕獲中心の消失と膜の結晶化が見られ,HfO₂/Si積層膜の界面特性改良と緻密化にPDAが有効であることが分かった。そして,低界面トラップ密度に対して最適なPDA条件が得られた。PDA雰囲気については酸素中の方が,窒素中より良好な物理的性能と電気的性能を示した。

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *捕獲中心 ,  キャリア捕獲 ,  *ゲート【半導体】 ,  誘電体薄膜 ,  CMOS構造 ,  焼なまし ,  超LSI ,  漏れ電流 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： high-k材料 ,  アニーリング ,  ポストデポジションアニーリング ,  *界面トラップ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  HfO2 ,  ゲート絶縁膜 ,  界面トラップ