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J-GLOBAL ID:201002233994446743   整理番号:10A0731775

1.35NA液浸ArFリソグラフィー光近接効果紋に対するペリクルの影響の実験的研究

Experimental Study of Effect of Pellicle on optical Proximity Fingerprint for 1.35 NA immersion ArF Lithography
著者 (9件):
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巻: 7640  号: Pt.2  ページ: 76401Y.1-76401Y.10  発行年: 2010年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高NA液浸システムではペリクルへの入射光が斜め入射なので透過する光の方向と位相にずれを生じる。このペリクル効果のモデル化に関しては一連の研究が報告されているが,1.35NAでの実験は報告されていない。1.35NAにおいて,通常の830nm膜厚ペリクルおよび280nm厚の先端ペリクルについて,CD均一性に対する影響をシミュレーションと実験とで研究した。ペリクルはアポダイゼーションとして振舞った。通常の厚いペリクルではアポダイゼーションはドース-寸法関係の変化を生じ,6.5%高いドースを要した。厚いペリクルは光近接効果にも影響していることが判明した。シミュレーションでペリクル効果をJones Pupilとして取り扱い,実験と良好な一致を見た。またペリクルの厚さ変化マップ(変化幅3.1nm)がダイ内CD均一性変化紋として再現しており,ペリクルの交換でCD均一性のパターンが変化することを指摘,その対策を論じた。一方,薄いペリクルでは,光近接効果への影響ははるかに小さく,ダイ内CD均一性への影響はほとんどゼロであった。32nmノードでは薄いペリクルの使用を推奨する。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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