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J-GLOBAL ID：201002234201696040   整理番号：10A0695204

電子ホログラフィ法によるInGaN/GaN量子井戸内の圧電場の計測

Determination of Piezoelectric Fields Across InGaN/GaN Quantum Wells by Means of Electron Holography

著者 (3件)： DEGUCHI Masashi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Shigeyasu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANJI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 6  ページ： 815-818  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN系半導体薄膜は,青色や緑色発光ダイオード(LED)やレーザダイオード用に広く使われている。InGaN量子井戸(QWs)中には,圧電分極による大きい内部電場が存在し,これが電子-正孔対を分離し,ルミネセンス効率を低下させる。本稿では,近傍の層がオーバラップするように故意に傾斜させた試料を使って,電子ホログラフィ法(EH)によりInGaN/GaN QW内の圧電場を調べた。その結果,圧電場はQW構造の中央部で最大であった。8個のInGaN QWsでの平均電場強度は~2.2MV/cmであった。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *ホログラフィー ,  *量子井戸 ,  窒化ガリウム ,  発光ダイオード ,  *電場 ,  ルミネセンス ,  *圧電気 ,  内部電場 ,  *窒化インジウムガリウム ,  電子線ホログラフィー
準シソーラス用語： GaN ,  *InGaN ,  *圧電場 ,  電子ホログラフィー

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  粒子光学一般  (BD02010J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子ホログラフィ ,  InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  圧電 ,  計測