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J-GLOBAL ID：201002234490220520   整理番号：10A0268766

ヒ化インジウムナノワイヤにおける電子輸送

Electron transport in indium arsenide nanowires

著者 (1件)： DAYEH Shadi A (Los Alamos National Lab., NM, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 2  ページ： 024004,1-20  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤ(NW)に関する気相-液相-固相成長法や素子プロセスの急速な進歩によって,直径が3nm程度のNWの合成やチャンネル長が40nm以下の電界効果トランジスタの作製が可能になってきた。これらのNWでは次元が低下するので,バルクの材料とは全く異なる振る舞いが期待される。NWのサイズが量子閉じ込め効果が充分に現れるほど小さくなくても,NWの輸送現象にはバリスティック輸送,表面状態効果,結晶構造および成長方位効果が現れる。InAsの材料系は電子移動度が大きく,結果として高性能の素子が作製される可能性が大きいので,NW材料としてとくに興味深い。ここでは,ヒ化インジウムから成るNWにおける電子輸送に関する研究結果を報告する。長さが200nm以上に亘るInAsのNWにおけるバリスティック輸送の直接的な観測結果を示し,高速素子としての応用の可能性を明らかにした。更に,輸送係数を導出するために必要な寄生的な素子成分を説明する簡単なモデルを紹介し,InAsのNWにおける電界効果高電子移動度を計算した。このモデルに基づいて,半導体NWにおける電子移動度と自由電子濃度を正確に導出することができた。NWを基本とする電界効果トランジスタから導出された電流輸送とパラメータに対する表面状態効果やNWの直径に関するスケーリング効果を議論した。

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  VLS成長 ,  FET【トランジスタ】 ,  バリスティック輸送 ,  キャリア移動度 ,  電流電圧特性 ,  負性抵抗 ,  表面準位 ,  結晶構造 ,  *電気伝導

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヒ化インジウム ,  ナノワイヤ ,  電子輸送