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J-GLOBAL ID：201002234846959720   整理番号：10A0199409

高性能ZnO系FETの開発-デバイス応用と高周波特性-

Development of high-performance ZnO-based FETs-Device applications and microwave performance-

著者 (5件)： 佐々誠彦 (大阪工大 ナノ材料マイクロデバイス研究セ) ,  小池一歩 (大阪工大 ナノ材料マイクロデバイス研究セ) ,  前元利彦 (大阪工大 ナノ材料マイクロデバイス研究セ) ,  矢野満明 (大阪工大 ナノ材料マイクロデバイス研究セ) ,  井上正崇 (大阪工大 ナノ材料マイクロデバイス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 361(MW2009 157-178)  ページ： 55-60  発行年： 2010年01月06日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で,ガラス基板上にスパッタ法などで多結晶膜を形成し,トランジスタを作製することが可能なため,将来,様々なデバイス応用が期待できる。ZnO系FETの潜在的な性能評価のため,MBE成膜した単結晶ヘテロ構造でFETを試作し,そのDCおよび高周波特性について評価した結果について述べる。さらに,センサーなどへの応用,スパッタ法など他の成膜方法で作製したデバイスの特性についても報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *酸化亜鉛 ,  周波数特性 ,  スパッタ蒸着 ,  *性能評価 ,  *MBE成長 ,  センサ
準シソーラス用語： 高周波特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  ZnO ,  FET ,  開発 ,  応用 ,  高周波特性