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J-GLOBAL ID：201002234895732579   整理番号：10A0035764

3.3kV IGBTモジュール

3.3 kV IGBT Modules

著者 (3件)： 古閑丈晴 (富士電機システムズ) ,  有田康彦 (富士電機システムズ) ,  小林孝敏 (富士電機システムズ)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 82  号： 6  ページ： 371-374  発行年： 2009年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 産業用インバータや車両インバータなどの市場ニーズに応えるため,3.3kV耐圧,1.2kA電流定格の大容量IGBTモジュールを開発してきた。今回,パッケージにIGBTハイパワーモジュールの技術を適用したモジュールを開発した。改良前に比べ,内部インダクタンスを33%低減し,絶縁基板間の電流均一化も良好である。このモジュールで,パワーサイクル試験を実施し,十分な耐量を持つことを確認した。また,製品ラインアップとして,3.3kV-1.5kAおよび3.3kV-0.8kA IGBTモジュールを開発中である。(著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  *インバータ ,  *パワーエレクトロニクス ,  繰返し試験

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (3件)：

• 古閑丈晴ほか.3.3kV IGBTモジコール. 富士時報2007, vol.80, no.6, p. 397-401.
• 西村孝司ほか. IGBTハイパワーモジユール. 富士時報.2008, vol.81, no.6, p. 390-394.
• Morozumi, A. et al. Reliability of Power Cycling for IGBT Power Semiconductor Module. Conf. Rec. IEEE Ind. Appl. Cof.36th.2001, p. 1912-1918.

タイトルに関連する用語 (2件)： IGBT ,  モジュール