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J-GLOBAL ID：201002234908482852   整理番号：10A0253016

ミリ秒アニーリングを用いた埋めこみSiGe歪p金属酸化物半導体電界効果トランジスタのデバイス性能に対するソース/ドレイン拡張ドーパント種の影響

Effect of source/drain-extension dopant species on device performance of embedded SiGe strained p-metal oxide semiconductor field effect transistors using millisecond annealing

著者 (8件)： ILLGEN Ralf (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Applied Sciences Dresden, Friedrich-List-Platz 1, D-01069 Dresden, DEU) ,  FLACHOWSKY Stefan (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Applied Sciences Dresden, Friedrich-List-Platz 1, D-01069 Dresden, DEU) ,  HERRMANN Tom (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Applied Sciences Dresden, Friedrich-List-Platz 1, D-01069 Dresden, DEU) ,  KLIX Wilfried (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Applied Sciences Dresden, Friedrich-List-Platz 1, D-01069 Dresden, DEU) ,  STENZEL Roland (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Applied Sciences Dresden, Friedrich-List-Platz 1, D-01069 Dresden, DEU) ,  FEUDEL Thomas (GLOBALFOUNDRIES Inc., Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109 Dresden, DEU) ,  HOENTSCHEL Jan (GLOBALFOUNDRIES Inc., Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109 Dresden, DEU) ,  HORSTMANN Manfred (GLOBALFOUNDRIES Inc., Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109 Dresden, DEU)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 28  号： 1  ページ： C1I12  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,絶縁物p金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)デバイスにおける埋めこみシリコン-ゲルマニウム歪シリコンの性能に対するソース/ドレイン拡張ドーパント種の影響を記した。高温超高速アニーリング技術を用いて活性化した。BF₂およびホウ素をソース/ドレイン拡張ドーパント種として調査した。歪の無いシリコンp-MOSFETと対照的に,BF₂ソース/ドレイン拡張注入デバイスと比較してホウ素ソース/ドレイン拡張注入はデバイス性能を大幅に向上させた。測定の結果により,ホウ素ソース/ドレイン拡張注入のデバイスは30%移動度が増加し,外部抵抗が低減することを示した。この原因はBF₂注入の非晶質化性質にあった。注入アニーリング後に残存する欠陥は埋めこみシリコン-ゲルマニウムからの応力伝達と全正孔移動度に影響し,観測される性能劣化をもたらした。さらにTCADシミュレーションは,BF₂ソース/ドレイン拡張注入による移動度劣化が埋めこみシリコン-ゲルマニウムのほぼ36%歪緩和と等価であることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 焼なまし ,  半導体材料 ,  FET【トランジスタ】 ,  *ドーパント ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  活性化 ,  MOSFET ,  ホウ素 ,  応力伝達 ,  キャリア移動度 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： *SiGe ,  アニーリング ,  金属酸化物半導体型電界効果トランジスター ,  性能劣化 ,  正孔移動度 ,  *電界効果トランジスタ ,  歪シリコン ,  歪緩和

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 秒 ,  アニーリング ,  埋めこみ ,  SiGe ,  歪 ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  ソース ,  ドレイン ,  拡張 ,  ドーパント