文献

J-GLOBAL ID：201002235034826587   整理番号：10A0122921

CH₃ClおよびSiCl₄前駆体を用いた4H-SiCの低温ホモエピタキシャル成長

Low-temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC with CH₃Cl and SiCl₄ precursors

著者 (4件)： KOTAMRAJU Siva (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Mississippi State Univ., Mississippi State, MS 39762, USA) ,  KRISHNAN Bharat (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Mississippi State Univ., Mississippi State, MS 39762, USA) ,  MELNYCHUK Galyna (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Mississippi State Univ., Mississippi State, MS 39762, USA) ,  KOSHKA Yaroslav (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Mississippi State Univ., Mississippi State, MS 39762, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 5  ページ： 645-650  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従前の研究において,HClを塩素の付加的な源とした補助的塩化炭素前駆体CH₃Clによる4H-SiCの低温ホモエピタキシャル成長の成長速度を増加させる可能性を探究した。この研究では,SiH₄+HClの置換物としてSiCl₄を検討した。気相における均一核形成はSiH₄+HCl成長に比しさらに軽減され,成長速度(R_g)を増すための主なボトルネックを本質的に除去した。しかし,キャリアガス流値が低い場合,Si気相クラスタの早すぎる未熟分解がR_gの不均一性を引き起こし,三角欠陥形成をもたらすことを見出した。劇的に抑制された均一核形成はキャリアガス流速増加への窓を開き,上流から下流へのR_g均一性を改善した。しかし,5-6μm/h以上のR_gで三角欠陥発生が顕著であった。良質エピ層形態を得るためのプロセス窓はSi供給制限モードに対応することを見出した。窓はSiリッチ島/液滴形成により低いC/Si比値に限定され,多結晶SiC形成により高いC/Si比値に限定された。プロセス窓は高いR_gでますます狭くなり,低成長温度でR_gを増すための新たなボトルネックとして働いた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ホモエピタクシー ,  *化学蒸着 ,  核形成 ,  エピタクシー ,  結晶形態
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  VPE成長 ,  ホットウォールエピタクシー ,  *塩化物VPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiCl4 ,  前駆体 ,  4H-SiC ,  低温 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長