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J-GLOBAL ID：201002235385052626   整理番号：10A0598157

A面成長方位によるAlN p-n接合発光ダイオードからの表面210nm発光の増強

Surface 210 nm light emission from an AlN p-n junction light-emitting diode enhanced by A-plane growth orientation

著者 (2件)： TANIYASU Yoshitaka (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN) ,  KASU Makoto (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 22  ページ： 221110  発行年： 2010年05月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 波長210nmの(1120)A面p-n接合発光ダイオード(LED)を実証した。A面LEDからのエレクトロルミネセンスは[0001]c軸に平行な電場に対して固有に偏光し,これは負の結晶場分裂エネルギーに起因した。偏光比(c軸に平行と垂直な電場成分の比)は0.9と高かった。A面LEDの放射パターンは表面法線に沿って高い放射強度を示したが,通常の(0001)C面LEDのそれは表面法線に沿った放射強度が弱かった。放射パターンの違いは偏光性により説明できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  半導体材料 ,  PN接合 ,  *発光ダイオード ,  *エレクトロルミネセンス ,  偏光 ,  結晶場 ,  放射パターン ,  *放射強度 ,  偏光性

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 成長方位 ,  AlN ,  p-n接合 ,  発光ダイオード ,  増強