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J-GLOBAL ID：201002235499969910   整理番号：10A0050513

H₂プラズマ損傷Si表面構造の光および電気特性化とそのインライン監視における影響

Optical and Electrical Characterization of H₂ Plasma-Damaged Si Surface Structures and its Impact on In-line Monitoring

著者 (7件)： NAKAKUBO Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUDA A. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUKASAWA M. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAO Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TATSUMI T. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  ERIGUCHI K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONO K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 31st  ページ： 125-126  発行年： 2009年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プラズマ処理 ,  外傷 ,  *表面構造 ,  電気特性 ,  *インライン処理 ,  監視 ,  エネルギーギャップ ,  電流電圧特性 ,  二酸化ケイ素 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,  *二酸化シリコン ,  化学損傷 ,  状態監視

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： H2 ,  プラズマ損傷 ,  Si ,  表面構造 ,  電気特性 ,  インライン