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J-GLOBAL ID：201002235912234754   整理番号：10A0053097

アンモニア熱オートクレーブでのGaN単結晶成長プロセスに関する数値シミュレーション-バッフル形状の影響

Numerical simulation of GaN single-crystal growth process in ammonothermal autoclave - Effects of baffle shape

著者 (7件)： MASUDA Y. (Res. Center for Compact Chemical Process, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 4-2-1 Nigatake ...) ,  SUZUKI A. (Res. Center for Compact Chemical Process, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 4-2-1 Nigatake ...) ,  MIKAWA Y. (Mitsubishi Chemical Corp., 1000, Higashi-Mamiana, Ushiku 300-1295, JPN) ,  KAGAMITANI Y. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  ISHIGURO T. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  YOKOYAMA C. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  TSUKADA T. (Tohoku Univ., 6-6-07, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
資料名： International Journal of Heat and Mass Transfer  (International Journal of Heat and Mass Transfer)
巻： 53  号： 5-6  ページ： 940-943  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： C0390A  ISSN： 0017-9310  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長するGaNバルク単結晶でのアンモニア熱プロセスの数値シミュレーションを,SC/Tetra計算流体力学ソフトウェアにより行った。オートクレーブは軸対称と仮定した。自然対流による熱伝達については,平板と漏斗状バッフルのケースで検討した。シミュレーション結果から,最適バッフル角は約20°であることを示した。本結果については,水熱ZnO結晶成長プロセスに関する著者らの以前の研究で求めた結果と一致することを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *単結晶 ,  *結晶成長 ,  *オートクレーブ ,  自然対流 ,  対流熱伝達 ,  応用プログラム ,  解析モデル ,  シミュレーション ,  *邪魔板 ,  *アンモニア ,  形状効果 ,  温度分布 ,  流速分布 ,  数値シミュレーション ,  CFD【流体力学】 ,  熱伝達 ,  流体力学 ,  物理学 ,  科学 ,  力学 ,  連続体力学 ,  自然科学
準シソーラス用語： 計算流体力学

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  対流・放射熱伝達  (PA02030K)

タイトルに関連する用語 (6件)： アンモニア ,  オートクレーブ ,  GaN ,  単結晶成長 ,  プロセス ,  数値シミュレーション