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J-GLOBAL ID：201002236106345330   整理番号：10A0252963

ステンシル導電性ビスマスナノ細線

Stenciled conducting bismuth nanowires

著者 (6件)： SAVU Veronica (Microsystems Lab., Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE) ,  NEUSER Sam (Microsystems Lab., Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE) ,  VILLANUEVA Guillermo (Microsystems Lab., Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE) ,  VAZQUEZ-MENA Oscar (Microsystems Lab., Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE) ,  SIDLER Katrin (Microsystems Lab., Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE) ,  BRUGGER Juergen (Microsystems Lab., Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 28  号： 1  ページ： 169  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸着を用いてビスマスナノ細線を作製するためにここではステンシルリソグラフィーを用いた。この技法は,ナノ細線構造そして同時に堆積される接触パドをもつことで良好な電気接触抵抗を与える。それはまた幅の関数としてナノ細線の高さを変調するという利点をもつ。蒸着される材料はステンシルマスク上に堆積するので,開口部は,完全に詰められ,それ以上の材料が通過できなくなるまで寸法が収縮する。こうして,著者らは,同じ蒸着において可変高さ(27から95nmまで)のナノ細線を得た。それらの形態的(走査型電子顕微鏡法および原子間力顕微鏡法)そして電気的特性評価に基づいて,著者らはそれらの抵抗率を求めた。抵抗率はナノ細線の寸法には依存せず,Biナノ細線の物理的蒸気堆積に対して報告されている最低の値であり,バルクビスマスのそれより1桁高いだけである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： リソグラフィー ,  *ビスマス ,  *ナノワイヤ ,  接触抵抗 ,  *マスク ,  真空蒸着 ,  *電気抵抗率 ,  導電性
準シソーラス用語： ステンシルリソグラフィー ,  ナノ細線 ,  ステンシルマスク

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (4件)： ステンシル ,  導電性 ,  ビスマス ,  ナノ細線