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J-GLOBAL ID：201002236110559387   整理番号：10A1153238

光化学金属-有機堆積により形成した直接パターンSnO₂への導電材料の取り込みの研究

A study of the incorporation of conducting materials into direct-patternable SnO₂ thin films formed by photochemical metal-organic deposition

著者 (5件)： KIM Hyuncheol (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ.) ,  GONG Su Cheol (Dep. of Electronics Engineering, Dankook Univ.) ,  CHANG Ho Jung (Dep. of Electronics Engineering, Dankook Univ.) ,  JEON Hyeongtag (Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ.) ,  PARK Hyung-ho (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 118  号： 1383  ページ： 1009-1012 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 1882-0743  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Agナノ粒子と多層カーボンナノチューブ(MWNTs)をSnO₂感光性前駆体溶液に取り込み,光化学金属-有機堆積により直接パターン膜を作製した。SnO₂膜の透明度と結晶度はAg粒子による光吸収とMWNTsによる光散乱のため低減した。Ag粒子とMWNTsの混合取り込みの場合,SnO₂ハイブリッド膜のシート抵抗はそれぞれの単独取り込み材に比べて低下した。SnO₂ハイブリッド膜の直接パターニングはフォトレジストなしまたは乾式エッチングにより可能であった。これらの結果,低コストでマイクロパターンシステムを容易に作製でき,SnO₂膜の電気的性質はAgナノ粒子をMWNTsと共に取り込むことで改良できることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化物 ,  化合物半導体 ,  透明材料 ,  *酸化スズ ,  *薄膜成長 ,  光CVD ,  銀 ,  ナノ粒子 ,  多層カーボンナノチューブ ,  透明度 ,  結晶度 ,  光吸収 ,  光散乱 ,  取込 ,  ハイブリッド複合材料 ,  パターン形成 ,  *電気的性質 ,  混合比 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  光電子分光法
準シソーラス用語： 導電性酸化物

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (34件)：

• 1) S. Sato, R. Tokumaru, E. Nishimura, P. K. Song, Y. Shigesato, K. Utsumi and H. Iigusa, J. Vac. Sci. Technol., A, 23, 1167–1172 (2005).
• 2) K. Utsumi, H. Iigusa, R. Tokumaru, P. K. Song and Y. Shigesato, Thin Solid Films, 445, 229–234 (2003).
• 3) G. Frank and H. Kostlin, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 27, 197–206 (1982).
• 4) H. Kim, J. S. Horowitz, W. H. Kim, A. J. Makinen, Z. H. Kafafi and D. B. Chrisey, Thin Solid Films, 420, 539–543 (2002).
• 5) T. Minami, H. Nanto and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys., 23, L280–L282 (1984).

タイトルに関連する用語 (5件)： 光化学 ,  堆積 ,  導電材料 ,  取り込み ,  研究