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J-GLOBAL ID：201002236640348840   整理番号：10A0328456

Alナノ結晶を含む窒化アルミニウム薄膜の帯電効果

Charging Effect of Aluminum Nitride Thin Films Containing Al Nanocrystals

著者 (8件)： LIU Y. (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Sichuan, CHN) ,  CHEN T. P. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  DING L. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  WONG J. I. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  YANG M. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  LIU Z. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  LI Y. B. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ZHANG S. (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 1  ページ： 599-603  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-絶縁体-半導体(MIS)構造を形成するために高周波スパッタリングによりSi基板上にAlに富むAlN薄膜を堆積した。深さX線光電子分光法解析を行なった。透過型電子顕微鏡像は,過剰なAl原子がAlN母材中にナノ規模の結晶を形成することを示した。Alナノ結晶における電荷トラッピング/脱トラッピングはMIS構造の平坦バンド電圧をシフトさせた。これらの薄膜はメモリー効果を示す。メモリー効果はAlN母材に埋め込まれたAlナノ結晶における電荷トラッピングに起因する。Alナノ結晶を含むAlN薄膜は低費用でのメモリー応用の可能性を提供する。他方,Alナノ結晶における電荷トラッピングはCoulomb閉塞によりいくつかのトンネル経路が破壊されるために電流伝導を低減させ,電流伝導は1次元輸送への傾向で上昇する。

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *ナノ結晶 ,  窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  電荷 ,  *捕獲 ,  効果 ,  帯電 ,  電気伝導 ,  *記憶装置
準シソーラス用語： *電荷トラップ ,  帯電効果

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  ナノ結晶 ,  窒化アルミニウム ,  薄膜 ,  帯電