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J-GLOBAL ID：201002237113201854   整理番号：10A0268703

化学機械平坦化: スラリー化学,物質及び機構

Chemical Mechanical Planarization: Slurry Chemistry, Materials, and Mechanisms

著者 (3件)： KRISHNAN Mahadevaiyer (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  NALASKOWSKI Jakub W. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  COOK Lee M. (Dow Electronic Materials, Delaware)
資料名： Chemical Reviews  (Chemical Reviews)
巻： 110  号： 1  ページ： 178-204  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： B0256A  ISSN： 0009-2665  CODEN： CHREAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学機械平坦化(化学研磨;CMP)は,高度に平坦な表面を創出するため,1980年代初期にIBMのK.D.Beyerが提唱した概念である。その後,多くのCMP法が開発され,近年の半導体プロセスにおいてはもっとも重要な過程の一つである。本レビューはCMPに関連した物理化学諸過程を以下の項目に分けて解説した。1)マイクロエレクトロニクスにおけるプラナリゼーション(平坦化)プロセスの応用,2)FEOL(フロントエンドオブライン)における応用: デバイスレベル,3)MOL(ミドルオブライン)における応用: 接触金属(通常,タングステン)レベル,4)BEOL(バクエンドオブライン)における応用: マルチレベル配線,5)FEOL,MOL及びBEOLの各CMPによって誘起された欠陥,6)CMPプロセスモデル,7)代替CMPプロセス。

シソーラス用語： *化学研磨 ,  *配線 ,  *半導体プロセス ,  スラリー ,  マイクロエレクトロニクス ,  プレーナ技術 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： *BEOL ,  *FEOL ,  *化学機械平坦化

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学機械平坦化 ,  スラリー ,  化学 ,  物質