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J-GLOBAL ID：201002237212382119   整理番号：10A1614071

薄膜シリコン系太陽電池開発と評価解析

著者 (1件)： 外山利彦 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 表面科学セミナー
巻： 31st  ページ： 179-191  発行年： 2010年12月02日 
JST資料番号： L1353A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 薄膜 ,  *アモルファスシリコン ,  *太陽電池 ,  *ケイ素 ,  製膜 ,  性能評価 ,  プラズマCVD ,  核形成 ,  結晶成長 ,  ナノ構造 ,  X線回折 ,  表面構造 ,  Raman散乱 ,  優先配向 ,  粒径 ,  フラクタル ,  原子間力顕微鏡 ,  赤外吸収スペクトル ,  バンドギャップ ,  結晶構造 ,  電気伝導率 ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  リン ,  閉込め ,  光電流 ,  活性化エネルギー ,  表面粗さ ,  透明材料
準シソーラス用語： *微結晶シリコン ,  表面モフォロジー ,  柱状構造 ,  FTIRスペクトル ,  光閉込め ,  導電性膜

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  シリコン ,  太陽電池 ,  開発 ,  評価 ,  解析