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J-GLOBAL ID：201002237266462487   整理番号：10A0969660

高アスペクト比の珪素エッチング: 解説

High aspect ratio silicon etch: A review

著者 (3件)： WU Banqiu (Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA) ,  KUMAR Ajay (Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA) ,  PAMARTHY Sharma (Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 5  ページ： 051101  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高アスペクト比(HAR)の珪素エッチングを,一般に用いられる用語,歴史,主な応用,種々の技術手法,重要な課題,技術の主な理論を含め,解説した。経時的に,HAR珪素エッチングは溶液中の湿式エッチング,低密度プラズマ中の反応性イオンエッチング(RIE),RIEと組合せた誘導結合プラズマ(ICP)中の極低温条件での単一操作エッチング,ICP-RIE構成の反応器中の時間多重化深部珪素エッチング,室温又は室温近傍の高密度プラズマ中の単一操作エッチングを用いて行われてきた。重要な仕様はHAR,高エッチング速度,平坦表面を持つ良好な溝側壁形状,低アスペクト比に依存するエッチング,小さなエッチング負荷効果である。今日まで,時間多重化エッチング処理は工業で一般的に実施されているが,不動態化とエッチングの間の交代に起因する,時間多重化エッチング処理固有の帆立貝状形状には問題が残る。以前,HAR珪素エッチングの適用は主に微小電子機械システム(MEMS)に関係した。最近は,三次元集積回路積層技術への貫通珪素バイア(TSV)エッチングへの応用がこの可能化技術の研究と開発を駆り立てている。この潜在的に大規模な応用は安定した高スループット,制御可能な形状,表面特性,低価格のHARエッチングを必要とする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エッチング ,  *アスペクト比 ,  *ケイ素 ,  誘導結合プラズマ ,  MEMS ,  集積回路 ,  表面性状 ,  スループット ,  加工速度 ,  ナノ構造 ,  トレンチカット【加工】 ,  半導体プロセス ,  *高アスペクト比 ,  ナノピラー ,  プラズマ
準シソーラス用語： 高スループット ,  エッチング速度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高アスペクト比 ,  珪素 ,  エッチング