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J-GLOBAL ID：201002237648609372   整理番号：10A0466854

非晶質絶縁基板上に成長させた高圧電AlN薄膜

Highly piezoelectric AlN thin films grown on amorphous, insulating substrates

著者 (3件)： ARTIEDA Alvaro (Lab. de Ceramique, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE) ,  SANDU Cosmin (Lab. de Ceramique, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE) ,  MURALT Paul (Lab. de Ceramique, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, CHE)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 28  号： 3  ページ： 390  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN薄膜を,反応性スパッタリングにより非晶質SiO₂薄膜上に成長させた。膜組織,X線ロッキングカーブ幅,機械的応力,及び固定圧電定数d₃₃を,rfバイアス電力及び基板粗さの関数として研究した。5.0pm/Vの高いd_33,fを,低い基板粗さ及び低い機械的AlN膜応力において達成した。基板粗さ及び応力の増大は,圧電応答力顕微鏡により検出される反対極性結晶粒の高い密度と相関した,d_33,fの劣化をもたらした。100%一様極性への外挿により,6.1pm/Vのd_33,fを,恐らく,完全単結晶材料のd_33,f=e₃₃/c₃₃^Eに対応した,最高の可能な値として得た。成長機構を,観測現象を説明するために提案し,高分解能透過型電子顕微鏡により明確に示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *圧電材料 ,  誘電体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  酸化ケイ素 ,  基板 ,  反応性スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  ロッキングカーブ ,  表面粗さ ,  バイアス ,  結晶粒 ,  *残留応力 ,  *圧電気

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  絶縁基板 ,  成長 ,  圧電 ,  AlN ,  薄膜