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J-GLOBAL ID：201002237809285289   整理番号：10A0727723

レーザアニーリング技術を使用した高k-Ni/ZrO₂/TiN MIMキャパシタの改良キャパシタンス密度と信頼性

Improved Capacitance Density and Reliability of High-κ Ni/ZrO₂/TiN MIM Capacitors Using Laser-Annealing Technique

著者 (6件)： TSAI C. Y. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIANG K. C. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN S. H. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU K. C. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHI C. C. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIN Albert (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 7  ページ： 749-751  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MIMキャパシタが低い漏れ電流を持ち,高いキャパシタンス密度を達成するため,高い相対誘電率(k)を持つ絶縁体が使用される。本研究ではレーザアニーリングを使用し,高いキャパシタンス密度,低漏れ電流,良好なアナログキャパシタ信頼性,低コスト電極および小さいキャパシタンス等価厚(CET)と物理的酸化膜厚を持つ高性能Ni/ZrO₂/TiOキャパシタを実現した。この性能はレーザアニーリングによる強化ZrO₂正方晶相,高い仕事函数Ni電極および良好な底面界面処理の組み合わせによるものである。

シソーラス用語： *信頼性 ,  *レーザアニーリング ,  *酸化ジルコニウム ,  漏れ電流 ,  酸化膜
準シソーラス用語： *MIMキャパシタ ,  キャパシタンス ,  高k誘電体

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザアニーリング ,  Ni ,  ZrO2 ,  TiN ,  MIMキャパシタ ,  キャパシタンス ,  密度