ホウ素ドープホモエピタキシャルダイヤモンドにおける極端な絶縁耐力

VOLPE Pierre-nicolas; MURET Pierre; PERNOT Julien; OMNES Franck; TERAJI Tokuyuki; KOIDE Yasuo; JOMARD Francois; PLANSON Dominique; BROSSELARD Pierre; DHEILLY Nicolas; VERGNE Bertrand; SCHARNHOLZ Sigo

文献

J-GLOBAL ID：201002237987581312 整理番号：10A1539077

ホウ素ドープホモエピタキシャルダイヤモンドにおける極端な絶縁耐力

Extreme dielectric strength in boron doped homoepitaxial diamond

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VOLPE Pierre-nicolas

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PERNOT Julien

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JOMARD Francois

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 97 号： 22 ページ： 223501 発行年： 2010年11月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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10kVまでの破壊電圧に耐えるSchottkyダイオードの作製を実証した。ダイオードの中心において7.7MV/cmに対応する電場を,二次元有限要素ソフトウェアの助けを借りて評価した。これらの特性は,最適化した結晶品質及びその表面の特殊な酸化処理をもつエピタキシャル膜の最初の数ミクロンにおいて,10¹⁶cm^-3以下の正味の浅いアクセプタ濃度から生じ,バルクダイヤモンドの真の絶縁耐力を明らかにすることを可能にした。(翻訳著者抄録)

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