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J-GLOBAL ID：201002238036646925   整理番号：10A0240729

p-Si(100)ウエハ上へのの電着

Electrodeposition of Bi₂Te₃ films and micro-pillar arrays on p-Si(100) wafers

著者 (3件)： LIU Da-Wei (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  XU Ying (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  LI Jing-Feng (Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 2  ページ： 354-359  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi₂Te₃膜及びマイクロピラーアレイを,それぞれp-Si(100)ウエハ上及び同一ウエハにRIEによって形成したマイクロテンプレート内に電着した。-100~-300mVの電圧範囲でBi³⁺とHTeO₂⁺溶液から,(001)優先配向のBi₂Te₃膜を得た。直径15~18μm,深さ40μmのマイクロテンプレートをエッチングによって形成し陰極とした。電着中にSiO₂層が絶縁膜として機能し,Bi₂Te₃のみがエッチングホール内壁に結晶化し,-300~700mVの電圧で穴埋め電着によりピラーアレイを得た。穴埋めの充填率及び品質は電圧に敏感であった。RIEによってテンプレートを除去後,自立Bi₂Te₃ピラーアレイをウエハ上で得た。

シソーラス用語： テルル化物 ,  ビスマス化合物 ,  *電着 ,  微細構造 ,  アレイ ,  ウエハ【IC】 ,  *RIE【エッチング】 ,  ボルタンメトリー ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  優先配向
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  *テルル化ビスマス ,  テンプレート【型】 ,  *マイクロピラー

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ウエハ ,  電着