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J-GLOBAL ID：201002238082071902   整理番号：10A0451143

電圧印加原子間力顕微鏡法による垂直な単一Niナノワイヤの電流電圧特性

I-V characteristics of a vertical single Ni nanowire by voltage-applied atomic force microscopy

著者 (5件)： CHOI D.s. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Idaho, Moscow, ID 83844, USA) ,  RHEEM Y. (Dep. of Environmental and Chemical Engineering, Univ. California at Riverside, Riverside, CA 92521, USA) ,  YOO B. (Div. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426-791, KOR) ,  MYUNG N.v. (Dep. of Environmental and Chemical Engineering, Univ. California at Riverside, Riverside, CA 92521, USA) ,  KIM Y.k. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 10  号： 4  ページ： 1037-1040  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,垂直な単一ナノワイヤについて,電気抵抗率の測定を報告する。Niナノワイヤの垂直配列を,電着により,ナノ多孔質アルミナテンプレートを用いてSi基板上に作製した。Niナノワイヤは面心立方多結晶構造を有した。垂直な成長した単一Niナノワイヤの最上部にナノメートル規模の点接触を作るために,電圧印加原子間力顕微鏡を用いた。3μmの長さおよび20nmの直径をもつナノワイヤに対して測定した抵抗は,1.1MΩであった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  *ナノワイヤ ,  *ニッケル ,  *電気抵抗率 ,  電着 ,  基板 ,  ケイ素 ,  多孔性 ,  型 ,  アルミナ ,  多結晶 ,  FCC金属 ,  電場効果 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  X線回折 ,  形状効果 ,  サイズ効果
準シソーラス用語： テンプレート【型】 ,  ナノ多孔質 ,  印加電圧

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電圧印加 ,  原子間力顕微鏡法 ,  Ni ,  ナノワイヤ ,  電流電圧特性