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J-GLOBAL ID：201002238104517942   整理番号：10A0913641

自己集合した湿式化学的エッチングプロセスによる深いSi溝の構築

Fabrication of Deep Si Trenches by Self-Assembled Wet Chemical Etching Process

著者 (4件)： HUNG S. C. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SHIU S. C. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHAO J. J. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN C. F. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 9  ページ： D496-D499  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 裸のSi表面と光レジストで被覆されたSi表面のエッチングプロセスでは,使用した溶液によって選択性が異なる。まず,HF/AgNO₃水溶液(Ia)でエッチングした後,HF/H₂O₂水溶液(IIa)で処理した。Iaによってモノリス(100)方向のシリコンナノワイヤ(SiNW)がエッチングされ,IIaによって,(010)および(001)方向も側壁およびウエハ表面もエッチングされた。本法によって,深さ50μmの深いSi溝を構築できた。

シソーラス用語： 自己集合 ,  *エッチング ,  溝 ,  ケイ素 ,  フォトレジスト ,  被覆 ,  結晶 ,  選択性 ,  フッ化水素 ,  硝酸銀 ,  過酸化水素 ,  多孔質体 ,  ナノワイヤ ,  ウエハ【IC】 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  Siウエハ ,  ケイ素基板 ,  シリコン ,  モノリス ,  光レジスト

分類 (1件)： その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己集合 ,  化学 ,  エッチングプロセス ,  Si ,  構築