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J-GLOBAL ID：201002238307442190   整理番号：10A1065677

相補型非対称形MOSFETの物理,技術とモデリング

Physics, Technology, and Modeling of Complementary Asymmetric MOSFETs

著者 (9件)： BULUCEA Constantin (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  BAHL Sandeep R. (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  FRENCH William D. (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  YANG Jeng-Jiun (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  FRANCIS Pascale (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  HARJONO Tikno (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  KRISHNAMURTHY Vijay (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  TAO Jon (National Semiconductor Corp., CA, USA) ,  PARKER Courtney (National Semiconductor Corp., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 10  ページ： 2363-2380  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相補型非対称形MOSFETの物理,技術とモデリングについて,このタイプのトランジスタの利点(主にスイッチング速度,高周波挙動,電圧利得と信頼性)と問題(主に変動性と雑音)とともに概観し,妥協できない回路設計のために非対称形と対称形素子を同一プロセスで提供する必要があることを示した。第2電源電圧用トランジスタ(デユアルゲート酸化膜トランジスタ)を非対称形と対称形に構成した,最近得た製造結果から統計的に検証したトランジスタデータを用いて,非対称形トランジスタの不可欠な特徴を明示した。この製造の実現に,空井戸,即ちしきい値電圧とパンチスルーの制御のためソース側のみハロ注入物を用い,表面でのドーパントフィラーなしの逆行形井戸,を使用した。同一プロセスで構成し,類似したしきい値電圧を有する非対称形と対称形トランジスタのシミュレーションデータとシリコンの使用により,非対称形トランジスタでドレイン誘起結晶粒障壁低下(DIGBL)を観測した,これらのトランジスタ動作の詳細な比較を可能にした。この効果は,類似した過大駆動ゲート電圧で観測される大ドレイン飽和電流に寄与し,また,一般に,非対称形トランジスタとハロ注入物を含有したトランジスタの変動性を増した。さらに,ゲート誘起ソース漏洩(GISL)を解析した結果,ソースとドレイン電極がバイアス極性を変え,基板とソース領域を常に相互接続しない応用用に許容可能である非対称度の制限因子であることがわかった。非対称形トランジスタのコンパクトモデリングについて簡単に検討し,出力I-V特性,相互コンダクタンス,出力コンダクタンス,最大電圧利得とゲート容量のシリコン特性および比較モデルにより例示した。副次的利点として,その空井戸プロセス構造は,従来の(充填型)井戸により構成した拡張ドレイントランジスタと比較して,優れた製造性とホットキャリア信頼性で第3の高電源電圧用相補型高電圧拡張ドレインMOSFETの構成を可能にすることができた。

シソーラス用語： *非対称性 ,  アナログ系 ,  シミュレーションモデル ,  固体素子モデル ,  半導体 ,  遮断周波数 ,  高電圧 ,  ホットキャリア ,  LSI【IC】 ,  *MOSFET ,  マッチング ,  通信信号 ,  雑音 ,  反射率 ,  信頼性 ,  アイソレーション【IC】 ,  速度 ,  超LSI ,  相互コンダクタンス ,  利得 ,  CMOS
準シソーラス用語： LDMOS ,  STI ,  アナログ ,  *コンパクトモデル ,  システムオンチップ ,  スイッチング速度 ,  デュアルゲート ,  ハロー ,  混合信号 ,  電圧利得

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非対称形 ,  MOSFET ,  物理 ,  モデリング