文献

J-GLOBAL ID：201002238726429960   整理番号：10A0723822

バイアスされたAlGaN/GaNヘテロ構造における欠陥に関連した光学遷移の解析

Analysis of defect related optical transitions in biased AlGaN/GaN heterostructures

著者 (9件)： BENGI A. (Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR) ,  LISESIVDIN S.b. (Nanotechnology Res. Center, Bilkent Univ., 06800 Ankara, TUR) ,  KASAP M. (Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR) ,  MAMMADOV T. (Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR) ,  MAMMADOV T. (Inst. of Physics, National Acad. of Sci., Baku, Azerbaijan) ,  OZCELIK S. (Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR) ,  OZBAY E. (Nanotechnology Res. Center, Bilkent Univ., 06800 Ankara, TUR) ,  OZBAY E. (Dep. of Physics, Bilkent Univ., 06800 Ankara, TUR) ,  OZBAY E. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Bilkent Univ., 06800 Ankara, TUR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 2  ページ： 105-108  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相成長(MOCVD)により成長したAlGaN/GaNヘテロ構造における光学遷移について,Hall測定および室温(RT)光ルミネセンス(PL)測定を用いて詳細に調べた。このHall測定結果は,AlGaN/GaNヘテロ界面に二次元電子ガス(2DEG)伝導が存在することを示した。PL測定は,特性近バンド端遷移(BE)に加えて,青(BL)および黄ルミネセンス(YL)バンド,自由励起子遷移(FE)および近傍放射バンド(NEB)が存在することを示した。これらの遷移を詳細に解析するために,印加電界が0から50V/cmまで変化したバイアスのもとでPL測定を行った。印加電界により,バンド曲がりが発生し,NEBが紫外ルミネセンス(UVL)とY₄バンドとして2つの異なるピークに分離した。これらのバンドの中で,黄バンドのみが印加電界に影響されなかった。これらのバンドの電界によるルミネセンス強度変化を詳細に調べた。その結果,増加する電界により強度が減少する最も可能性のある考えられる候補は放射寿命の低減である。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  MOCVD ,  気相成長 ,  *光ルミネセンス ,  電圧依存性 ,  バンドギャップ ,  電子遷移 ,  *ヘテロ接合 ,  紫外スペクトル ,  バンド構造 ,  正規分布 ,  格子欠陥 ,  固体素子
準シソーラス用語： 発光素子

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  欠陥 ,  光学遷移 ,  解析