文献

J-GLOBAL ID：201002238874374090   整理番号：10A0491146

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)/フラーレン複合薄膜の分子配向

Molecular Orientation of Poly(3-hexylthiophene)/Fullerene Composite Thin Films

著者 (5件)： MOHAMAD Khairul Anuar (Muroran Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  MOHAMAD Khairul Anuar (Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS) ,  KOMATSU Natsuki (Muroran Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  UESUGI Katsuhiro (Muroran Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  FUKUDA Hisashi (Muroran Inst. Technol., Hokkaido, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DK25.1-04DK25.5  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3-ヘキシルチオフェン)/[6,6]-フェニル-C₆₁-ブチル酸メチルエステル(P3HT/PCBM)複合薄膜の分子配向と電気的性質に重点を置いて,溶液中のP3HT/PCBM中のPCBMの重量比の影響を明らかにした。P3HT/PCBM複合薄膜を電子スピン共鳴(ESR)とX線回折により調べ,膜分子と構造配向を明らかにした。少量のPCBMを含む複合薄膜はP3HTの分子構造を変えられた。また,少量のPCBM分子の存在はP3HT薄膜トランジスタ(TFT)の素子性能を改善し,10^-3cm²V^-1s^-1台の移動度と10^-4のオンオフ電流比を得た。閾値電圧も純P3HT TFTよりも高かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： フラーレン ,  分子配向 ,  電気的性質 ,  *複合膜 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  X線回折 ,  *薄膜トランジスタ ,  比率 ,  電圧 ,  *有機半導体 ,  移動度
準シソーラス用語： PCBM ,  オンオフ比 ,  閾値電圧

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： 3-ヘキシルチオフェン

引用文献 (22件)：

• S. R. Fon-est: Nature 428(2004)911.
• H. Sirringhaus, N. Tessler, and R. H. Friend. Science 280(1998)1741.
• J. M. Choi, J. Lee, D. K. Hwang, J. H. Kim, and S. Im: Apph Phys. Lett.88(2006)043508.
• M. C. Hamilton, S. Martin, and J. Kanicki: IEEE Trans. Electron Devices 51(2004)877.
• S. Rait, S. Kashyap, P. K. Bhatnagar, P. C. Mathur, S. K. Sengupta, and J. Kumar: Physica E 39(2007)191.

タイトルに関連する用語 (4件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  フラーレン ,  薄膜 ,  分子配向