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J-GLOBAL ID：201002238915573753   整理番号：10A0134450

六角形a-Si:H TFTの電気的安定性

Electrical Stability of Hexagonal a-Si:H TFTs

著者 (3件)： YOO Geonwook (Univ. Michigan, MI, USA) ,  LEE Hojin (Univ. Michigan, MI, USA) ,  KANICKI Jerzy (Univ. Michigan, MI, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 1  ページ： 53-55  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン(a-Si:H)TFTをアナログアンプやスイッチに使う時には,長時間のバイアスストレス下での高いドレイン電流と電気的安定性が必要である。六角形(HEX)a-Si:H TFTの電流レベルはHEX TFTを並列につなぐことにより希望する値に調節が可能である。本レターは,単一および複数のHEX a-Si:H TFTを並列に接続し,電流-温度のストレスに誘起される不安定性を調べた。その結果,HEX TFTの電気的安定性は標準TFTよりも良好であり,複数HEX TFTの中の一つのHEX単位が不安定になっても全体へ影響を及ぼさないことがわかった。さらに,閾値電圧シフトと複数HEX TFTのユニット数との関係を確立した。

シソーラス用語： アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  電圧 ,  *並列接続 ,  ストレス ,  電気特性
準シソーラス用語： 温度ストレス ,  *水素化アモルファスシリコン ,  電流ストレス ,  非晶質シリコン ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 六角形 ,  TFT ,  電気的安定性