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J-GLOBAL ID：201002239419223609   整理番号：10A0831095

層状強誘電半導体化合物TlGaSe₂の格子動力学

Lattice dynamics of layered ferroelectric semiconductor compound TlGaSe₂

著者 (7件)： HASHIMZADE F.m. (Inst. of Physics, Azerbaijan National Acad. of Sciences, Baku, Azerbaijan) ,  HUSEINOVA D.a. (Inst. of Physics, Azerbaijan National Acad. of Sciences, Baku, Azerbaijan) ,  ORUDZHEV G.s. (Inst. of Physics, Azerbaijan National Acad. of Sciences, Baku, Azerbaijan) ,  NIZAMETDINOVA M.a. (Azerbaijan Univ. of Architecture and Construction, Baku, Azerbaijan) ,  ULUBEY A.m. (Dep. of Physics, Trakya Univ., 22030 Edirne, TUR) ,  ALLAKHVERDIEV K.r. (Inst. of Physics, Azerbaijan National Acad. of Sciences, Baku, Azerbaijan) ,  ALLAKHVERDIEV K.r. (TUBITAK, Marmara Res. Center, Materials Inst., Gebze/Kocaeli, TUR)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 45  号： 10  ページ： 1438-1442  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異方性の高い結晶構造をもつTlGaSe₂三成分系半導体の格子動力学の第一原理計算を提示した。平面波擬ポテンシャル法内の密度汎関数摂動理論に基づいたオープンソースコードABINITを用いて,計算を行った。フォノンスペクトルのゾーン中心におけるフォノンモードの振動数及び横方向せん断音響枝の結果は,TlGaSe₂のRaman散乱,赤外反射率及び超音波伝播に関する実験データと良く一致した。熱容量の計算及び実験温度依存性は室温以下でよく一致した。層に沿って,低振動数音響枝は層状結晶構造の特徴である屈曲波挙動を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *タリウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *三成分系 ,  層状化合物 ,  *強誘電半導体 ,  結晶構造 ,  異方性 ,  *結晶格子 ,  *格子力学 ,  *音波伝搬 ,  音響振動 ,  第一原理 ,  密度汎関数法 ,  フォノン分散 ,  赤外スペクトル ,  反射スペクトル ,  Raman散乱
準シソーラス用語： フォノンスペクトル ,  *格子動力学

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  固体の音波物性一般  (BL02031U) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 層状 ,  強誘電半導体 ,  格子動力学