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J-GLOBAL ID：201002239638825649   整理番号：10A0898758

MoS₂表面に形成した硫黄空格子の電子状態

Electronic States of Sulfur Vacancies Formed on a MoS₂ Surface

著者 (7件)： KODAMA Nagisa (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  OKAWA Yuji (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TSURUOKA Tohru (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  JOACHIM Christian (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  JOACHIM Christian (CEMES, CNRS, Toulouse, FRA) ,  AONO Masakazu (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 8,Issue 4  ページ： 08LB01.1-08LB01.4  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS₂表面に形成した硫黄空格子は,Fermi レベルで電子状態を持ち,伝導性の原子規模構造として働くと予測された。トンネル顕微鏡(STM)誘導フィールド蒸発を使って硫黄原子を除去してMoS₂表面に硫黄空格子を作り,空格子の電流-電圧(I/V)特性を測定した。空格子で測定したI/V曲線は,ゼロバイアス領域で線形増加を示し,Fermi レベルで電子状態の存在を示した。他方,きれいな表面で測定したI/V曲線は,理論計算で期待されるようにFermi レベルの周辺でおよそ1eVのギャップを示した。また,うまくAu ナノアイランドの操作を実行した。これは硫黄空格子鎖に接続するナノパッドとして使われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *硫黄 ,  *空格子点 ,  電子状態 ,  Fermi準位 ,  電流電圧特性 ,  走査型トンネル顕微鏡
準シソーラス用語： トンネル型走査電子顕微鏡

分類 (1件)： 電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (4件)： MoS2 ,  硫黄 ,  格子 ,  電子状態