文献

J-GLOBAL ID：201002239703780550   整理番号：10A1542911

ブロック共重合体とナノインプリントリソグラフィーの統合手法による表面増強Raman散乱素子のナノ製作

Nanofabrication of surface-enhanced Raman scattering device by an integrated block-copolymer and nanoimprint lithography method

著者 (6件)： YANG E. L. (Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550) ,  LIU C. C. (Dep. of Chemical and Biological Engineering, Univ. of Wisconsin Madison, Wisconsin 53706) ,  YANG C. Y. P. (Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550) ,  STEINHAUS C. A. (Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550) ,  NEALEY P. F. (Dep. of Chemical and Biological Engineering, Univ. of Wisconsin Madison, Wisconsin 53706) ,  SKINNER J. L. (Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6M93  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブロック共重合体(BCP)とナノインプリントリソグラフィー(NIL)の統合はナノ規模パターン形成能を実現するための新しい費用効果の高い手法を提供する。BCP-NIL統合手法により作製したテンプレートを用いて,表面増強Raman散乱素子の製作を実証した。ポリ(スチレン-ブロック-メタクリル酸メチル)円筒形成ジブロック共重合体をマスキング材料に用いてSiテンプレートを作製し,それを用いてSi基板上にポリメタクリル酸メチル(PMMA)の熱インプリントを行った。Cr接着層を持つAuをパターン化PMMA上に蒸着し,リフトオフしてナノドット配列を得た。パターン形成したナノドットを持つ及び持たないSi基板上のR6G試料に対するRamanスペクトルはナノドット配列の存在故にピーク強度が増強された。実証したBCP-NIL製作法はプラズモン素子やナノ電子素子の費用効果の高いナノ規模製作に有望である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ブロック共重合体 ,  *リソグラフィー ,  *表面増強Raman散乱 ,  パターン形成 ,  ナノ構造 ,  型 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  押付成形 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  テンプレート【型】 ,  熱インプリント ,  ナノドット

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ブロック共重合体 ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  統合 ,  手法 ,  表面増強Raman散乱 ,  製作