抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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次世代ナノ磁性材料グループでは新機能を持つ素子や,新たな原理によるナノ磁気デバイスの開発のための基礎的研究基盤の確立を目指している。本論文では,最新の研究事例として,1)第一原理電子状態計算による反強磁性ハーフメタルの設計,2)古典モンテカルロシミュレーションによる格子変形を伴う磁性体,3)量子モンテカルロ法による非整合量子秩序状態の解明について述べた。まず,反強磁性ハーフメタルの実在は未だ報告されておらず,1)によってニッケルヒ素型Se
2に関する状態密度曲線からハーフメタリック反強磁性体であることを示した。次に,2)としてある種の化合物でのLIESST(Light-induced Excited Spin-State Trapping)現象の熱力学的機構,及び前記系での高/低スピン状態の体積変化に注目した格子の変形について述べた。体積変化による弾性相互作用の効果として生じるスピン間の実効的な長距離相互作用は,物体の形状に依存したダイナミクスをもたらすのでナノサイズのスイッチ現象の理解に重要である。また,格子上で定義された量子磁性モデルのシミュレータを開発し,3)を行った例として準1次元S=1/2ハイゼンベルグ反強磁性体の計算例を示した。