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J-GLOBAL ID：201002239885851270   整理番号：10A1126526

Pb(Mn,Nb)O₃-Pb(Zr,Ti)O₃をスパッタした薄膜によって作った高性能4GHz FBAR

High Performance 4GHz FBAR Prepared by Pb(Mn,Nb)O₃-Pb(Zr,Ti)O₃ Sputtered Thin Films

著者 (9件)： MATSUSHIMA T. (Panasonic Electric Works, Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI N. (Panasonic Electric Works, Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  SHIRAI T. (Panasonic Electric Works, Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  YOSHIHARA T. (Panasonic Electric Works, Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  HAYASAKI Y. (Panasonic Electric Works, Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  UEDA T. (Panasonic Electric Works, Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  KANNO I. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  WASA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KOTERA H. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium  (Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium)
巻： 2010  ページ： 248-251  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0958A  ISSN： 1075-6787  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AIN薄膜は高いQ値を示すので,RF共振器とフィルタ応用として携帯電話には広く使われている。AIN薄膜は高いQ値を示すが,低い電気-機械結合のために狭帯域フィルタになり,広帯域の共振器やフィルタの要求に応えるのは難しい。RF広帯域デバイスでは数100MHzの帯域が必要とされる。本稿では,スパッタリングしたPMnN-PZT(Pb(Mn,Nb)O₃-Pb(Zr,Ti)O₃)薄膜によって高性能4GHzFBAR(フィルムバルク音響共振器)を製作した。PMnN-PZT薄膜は,4GHz領域で大きなk_t²Q=70を有し,高いk_t=0.6と高いQ=185を示した。(k_t:高効率結合係数)PMnN-PZT薄膜は400MHzのような広帯域のRF共振器やフィルタへの応用の可能性を持つことに気付いた。

シソーラス用語： スパッタリング ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  音響共振器 ,  圧電材料 ,  *フィルタ ,  *帯域フィルタ ,  広帯域
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  バンドパスフィルタ ,  ピエゾ薄膜 ,  *フィルムバルク音響共振器

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (10件)： Pb ,  Mn ,  Nb ,  O3 ,  Zr ,  Ti ,  スパッタ ,  薄膜 ,  高性能 ,  FBAR