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J-GLOBAL ID：201002240262753054   整理番号：10A0964770

エピタキシャル成長させたグラフェンと炭化ケイ素の間の電荷移動

Charge transfer between epitaxial graphene and silicon carbide

著者 (4件)： KOPYLOV Sergey (Dep. of Physics, Lancaster Univ., LA1 4YB Lancaster, GBR) ,  TZALENCHUK Alexander (National Physical Lab., TW11 0LW Teddington, GBR) ,  KUBATKIN Sergey (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., S-412 96 Goteborg, SWE) ,  FAL’KO Vladimir I. (Dep. of Physics, Lancaster Univ., LA1 4YB Lancaster, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 11  ページ： 112109  発行年： 2010年09月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC上に成長させたグラフェンに関するドーピングをグラフェンへの電荷移動の源の異なる二つのモデル,即ちSiC表面からの移動およびバルクドナーからの移動,に基づいて解析した。二つのモデルのそれぞれについて,単一層および二層グラフェンにおける最高の電子密度が誘起されることが分かった。これらの値は純粋なグラフェンにおける電子に関する仕事関数とSiCにおけるドナー状態に関する仕事関数の違いによって決定される。また,静電ゲートによる電子密度の変化に対するグラフェンの応答度を解析した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エピタクシー ,  *グラファイト ,  *炭化ケイ素 ,  基板 ,  *ヘテロ接合 ,  *電荷移動 ,  多層 ,  電子密度 ,  仕事関数 ,  ドナー ,  ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 二層

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル成長 ,  グラフェン ,  炭化ケイ素 ,  電荷移動