文献

J-GLOBAL ID：201002240269341185   整理番号：10A0434771

ゲルマニウム上の原子層堆積ZrO₂/La₂O₃誘電体の堆積後アニリーングによる非常に高いkの結晶質ZrO₂層の安定化

Stabilization of a very high-k crystalline ZrO₂ phase by post deposition annealing of atomic layer deposited ZrO₂/La₂O₃ dielectrics on germanium

著者 (6件)： ABERMANN S. (Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT) ,  HENKEL C. (Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT) ,  BETHGE O. (Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT) ,  POZZOVIVO G. (Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT) ,  KLANG P. (Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT) ,  BERTAGNOLLI E. (Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 16  ページ： 5031-5034  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)ゲルマニウム上に原子層堆積により成長させた極薄ZrO₂/La₂O₃高k誘電体の電気的性質に対して,ZrO₂/La₂O₃膜厚比,および400°Cから600°Cまでの温度範囲での堆積後アニーリングが及ぼす影響を調べた。成長した状態の積層は24の相対的誘電率をもち,この誘電率は正方/立方ZrO₂層の安定化により,500°Cでのアニーリング後に35の値まで増大した。この効果は,誘電積層内のZrO₂の絶対厚さに依存し,酸化物/Ge界面での可能な界面反応のために制限される。著者らは,適切な処理が1nmより低いEOT値をもつ非常に高いk値の誘電体,0.01A/cm²の範囲の漏れ電流,および2~5×10¹⁷eV^-1cm^-2の範囲の界面トラップ密度に導くことを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  酸化ジルコニウム ,  *化学蒸着 ,  焼なまし ,  誘電率 ,  結晶構造 ,  立方晶系 ,  正方晶系 ,  界面 ,  不均一系反応 ,  漏れ電流 ,  膜厚 ,  酸化ランタン ,  多層 ,  基板 ,  ゲルマニウム ,  安定化 ,  超薄膜
準シソーラス用語： EOT ,  トラップ【固体】 ,  界面反応 ,  原子層堆積 ,  高k誘電体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲルマニウム ,  原子層堆積 ,  ZrO2 ,  La2O3 ,  誘電体 ,  堆積 ,  安定化