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J-GLOBAL ID：201002240514447954   整理番号：10A0942935

150°C以下で処理したアモルファスシリコン-インジウム-酸化亜鉛半導体薄膜トランジスタ

Amorphous silicon-indium-zinc oxide semiconductor thin film transistors processed below 150 °C

著者 (3件)： CHONG Eugene (Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR) ,  CHUN Yoon Soo (Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR) ,  LEE Sang Yeol (Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 10  ページ： 102102  発行年： 2010年09月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファスシリコン-インジウム-酸化亜鉛(a-SIZO)薄膜トランジスタ(TFT)を,150°C以下の処理温度で調べた。このa-SIZO TFTは,電界効果移動度21.6cm²/Vsおよびオンオフ比10⁷を示した。a-SIZO TFTおよびインジウム-酸化亜鉛(IZO)TFTの安定性を比較した。バイアス温度応力後に,a-SIZO TFTは,閾値電圧(V_th)に対して3.7Vのシフトを示したが,IZO TFTは10.8Vのシフトを示した。IZOシステムへの安定剤としてのSi合体を,X線光電子分光法で確認した。この合体は,a-SIZO TFTにおけるV_thの小シフトを,21.6cm²/Vsを超える移動度劣化を伴わずにもたらした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  半導体薄膜 ,  *アモルファスシリコン ,  *インジウム ,  *酸化亜鉛 ,  フォトリソグラフィー ,  電子顕微鏡観察 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高速Fourier変換 ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  X線光電子スペクトル ,  電流電圧特性 ,  安定性 ,  温度依存性 ,  比率
準シソーラス用語： HRTEM ,  オンオフ比 ,  電界効果移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファスシリコン ,  インジウム ,  酸化亜鉛 ,  半導体薄膜 ,  トランジスタ