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J-GLOBAL ID：201002240890690037   整理番号：10A0847566

ポリ(N-ビニルカルバゾール)層に埋め込まれたCdSe/ZnSから成る量子ドットを含む混成エレクトロルミネセンス(EL)素子における電荷捕獲

Charge trapping in hybrid electroluminescence device containing CdSe/ZnS quantum dots embedded in a conducting poly(N-vinylcarbozole) layer

著者 (3件)： LI Fushan (Inst. of Optoelectronic Display, Fuzhou Univ., Fuzhou 350002, People’s Republic of China) ,  GUO Tailiang (Inst. of Optoelectronic Display, Fuzhou Univ., Fuzhou 350002, People’s Republic of China) ,  KIM Taewhan (National Res. Lab. for Nano Quantum Electronics, Div. of Electronics and Computer Engineering, Hanyang Univ., Seoul ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 6  ページ： 062104  発行年： 2010年08月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(N-ビニルカルバゾール)(PVK)の正孔輸送層に埋め込まれたCdSe/ZnSの量子ドット(QD)を含む多層の混成エレクトロルミネセンス(EL)素子における電荷輸送を研究した。電流-電圧(I-V)曲線は低バイアスにおいて抵抗転移特性を示し,バイアス電圧が増すと負の微分抵抗域が現れることが分かった。この効果は二段階の電荷輸送プロセス,即ちPVK層に埋め込まれたCdSe/ZnSから成るQD内における正孔の捕獲と,引き続く正孔-電子の再結合,によって説明される。ELスペクトルから,高バイアス電圧下における再結合中心はCdSe/ZnSのQDに限定されることが分かった。この現象はI-V特性の結果と良く一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ポリビニルカルバゾール ,  高分子膜 ,  埋込み【挿入】 ,  *セレン化カドミウム ,  *硫化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  *エレクトロルミネセンス ,  電流電圧特性 ,  負性抵抗 ,  キャリア捕獲 ,  キャリア再結合 ,  可視発光スペクトル ,  再結合中心 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： 負性微分抵抗

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： N-ビニルカルバゾール ,  層 ,  CdSe ,  ZnS ,  量子ドット ,  エレクトロルミネセンス ,  EL ,  電荷捕獲