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J-GLOBAL ID：201002240936115199   整理番号：10A0672317

直接液噴射化学蒸着窒化ニッケル膜からのニッケルシリサイド形成

Formation of Nickel Silicide from Direct-Liquid-Injection Chemical-Vapor-Deposited Nickel Nitride Films

著者 (5件)： LI Zhefeng (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  GORDON Roy G. (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  LI Huazhi (Dow Electronic Materials, Massachusetts, USA) ,  SHENAI Deo V. (Dow Electronic Materials, Massachusetts, USA) ,  LAVOIE Christian (IBM, New York, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 6  ページ： H679-H683  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接液噴射(DLI)化学蒸着(CVD)は,DLIが高分圧の前駆体蒸気を正確に供給する利点を有することから非常に魅力的な蒸着法である。適切な溶媒を用いることにより,固体前駆体の溶液をDLIによって蒸発させることができる。蒸着中の高濃度の前駆体蒸気が共形ステップ被覆と高成長速度を実現する鍵である。本研究では,NiSi形成の中間体としてより安定な有機金属前駆体,ビス(N,N’-ジ-tert-ブチルアセトアミジナート)ニッケル(II)[Ni(MeC(N^tBu)₂)₂]を用いた。純Niの代わりにNiN_x膜をNiSi形成の中間体として蒸着した。これは,ニッケル中への窒素の混入がNiSiの熱安定性とそれを用いたトランジスタの電気的性能を高めることによる。

シソーラス用語： 直接噴射 ,  化学蒸着 ,  *ニッケル化合物 ,  *窒化物 ,  *薄膜 ,  *ケイ化物 ,  分圧 ,  前駆体 ,  蒸気 ,  溶媒 ,  溶液 ,  被覆 ,  成長速度 ,  中間体 ,  有機金属化合物 ,  窒素 ,  熱安定性 ,  トランジスタ ,  電気的性質

分類 (2件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (1件)： N,N′-ジ-tert-ブチルアセトアミジン

タイトルに関連する用語 (6件)： 接液 ,  噴射 ,  化学蒸着 ,  窒化 ,  ニッケル ,  ニッケルシリサイド