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J-GLOBAL ID：201002240937525030   整理番号：10A0898601

自立半極性(303-1)バルクGaN基板上の高出力,高効率な青色InGaN発光ダイオード

High Power and High Efficiency Blue InGaN Light Emitting Diodes on Free-Standing Semipolar (30<span style=text-decoration:overline>3</span><span style=text-decoration:overline>1</span>) Bulk GaN Substrate

著者 (8件)： KOSLOW Ingrid L. (Univ. California, CA, USA) ,  SONODA Junichi (Univ. California, CA, USA) ,  CHUNG Roy B. (Univ. California, CA, USA) ,  PAN Chih-Chien (Univ. California, CA, USA) ,  BRINKLEY Stuart (Univ. California, CA, USA) ,  OHTA Hiroaki (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 8,Issue 1  ページ： 080203.1-080203.3  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低拡長欠陥バルクGaN基板上に作製した高出力で高効率な半極性(30-31)窒化物発光ダイオード(LEDs)を初めて報告した。LEDsは大気圧有機金属化学気相蒸着(MOCVD)により成長させた。ピーク波長は452nmであり,c面LEDの大きなブルーシフトと比較して,<1nmの最小レッドシフトが5-100mAで観察された。パッケージ200×500μm²の出力パワーと外部量子効率は,20mAでそれぞれ14.48mWと26.5%であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  MOCVD ,  赤方偏移 ,  *量子効率 ,  *出力 ,  青色光
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  窒化ガリウムインジウム ,  半極性

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (19件)：

• F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B 56(1997) R10024.
• F. Bernardini and V. Fiorentini: Physica Status Solidi B 216(1999)391.
• P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog: Nature 406(2000)865.
• C. Chen, V. Adivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, and M. A. Khan: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003) L1039.
• A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, J. S. Speck, S. P. Denbaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005) L173.

タイトルに関連する用語 (9件)： 自立 ,  半極性 ,  バルク ,  GaN ,  高出力 ,  高効率 ,  青色 ,  InGaN ,  発光ダイオード