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J-GLOBAL ID：200902261015703946   整理番号：03A0689390

非極性a-面を有する成るGaN-AlGaN多重量子井戸を用いる紫外域発光ダイオード

Ultraviolet Light Emitting Diodes Using Non-Polar a-Plane GaN-AlGaN Multiple Quantum Wells

著者 (6件)： CHEN C (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  ADIVARAHAN V (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  YANG J (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  SHATALOV M (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  KUOKSTIS E (Univ. South Carolina, South Carolina, USA) ,  KHAN M A (Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 9AB  ページ： L1039-L1040  発行年： 2003年09月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非極性のIII-N膜及びそれによって構成されるヘテロ構造には...

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (7件)：

• 1) C. Q. Chen, M. E. Gaevski, W. H. Sun, E. Kuokstis, J. P. Zhang, R. S. Q. Fareed, H. M. Wang, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, H. P. Maruska, D. W. Hill, M. M. C. Chou and B. H. Chai: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3194.
• 2) M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1201.
• 3) H. M. Ng: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4369.
• 4) C. Q. Chen, J. W. Yang, H. M. Wang, J. P. Zhang, V. Adivarahan, M. Gaevski, E. Kuokstis, Z. Gong, M. Su and M. Asif Khan: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L640.
• 5) C. Q. Chen, J. P. Zhang, J. W. Yang, V. Adivarahan, S. Rai, S. Wu, H. M. Wang, W. H. Sun, M. Su, Z. Gong, M. Gaevski, E. Kuokstis and M. Asif Khan: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L818.

タイトルに関連する用語 (5件)： 非極性 ,  GaN ,  AlGaN ,  多重量子井戸 ,  発光ダイオード