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J-GLOBAL ID：201002241185544010   整理番号：10A0296299

原子層堆積によって成長させたp-SiC(4H)上のZnOベースヘテロ接合発光ダイオード

ZnO-based heterojunction light-emitting diodes on p-SiC(4H) grown by atomic layer deposition

著者 (6件)： SHIH Y. T. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU M. K. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN M. J. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHENG Y. C. (National Univ. Tainan, Tainan, TWN) ,  YANG J. R. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SHIOJIRI M. (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics. B. Lasers and Optics  (Applied Physics. B. Lasers and Optics)
巻： 98  号： 4  ページ： 767-772  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： E0501B  ISSN： 0946-2171  CODEN： APBOEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質の低抵抗p-ZnO層を再現性良く成長させるために,n-ZnO基板に代わってp-4H-SiC基板を利用し,その上に格子整合するAlドープn-ZnOを原子層堆積してZnOベースヘテロ接合を形成した。n-ZnO/p-SiCとn-ZnO/i-ZnO/p-SiCのヘテロ接合発光ダイオードを作製し,性能を比較した。前者のエレクトロルミネセンス(EL)の起源はn-ZnOからp-SiCへの主要な電子注入によるSiC中のドナー-アクセプタ対の放射再結合であった。i-ZnO層の挿入によって,p-SiCからi-ZnO層への正孔注入とn-ZnO層からi-ZnO層への電子注入によるZnOからの優勢な紫外(393nm)ELが得られることが分かった。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  化学蒸着 ,  ヘテロ接合 ,  *発光ダイオード ,  PN接合 ,  PIN接合 ,  *エレクトロルミネセンス ,  紫外発光スペクトル ,  キャリア注入
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  *原子層堆積 ,  正孔注入 ,  電子注入

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  SiC ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  発光ダイオード