文献

J-GLOBAL ID：201002241447644304   整理番号：10A0322229

BiFeO₃薄膜の酸素濃度と漏れ電流に及ぼすその影響

Oxygen concentration and its effect on the leakage current in BiFeO₃ thin films

著者 (4件)： YANG H. (Jiangsu Key Lab. of Thin Films, School of Physical Sci. and Technol., Soochow Univ., Suzhou 215006, CHN) ,  WANG Y. Q. (Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA) ,  WANG H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M Univ., Coll. Station, Texas 77843-3128, USA) ,  JIA Q. X. (Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 1  ページ： 012909  発行年： 2010年01月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001)配向のSrTiO₃基板上にパルスレーザ堆積によりc軸配向のBiFeO₃(BFO)エピタキシャル膜を作製した。核共鳴後方散乱分光により堆積にままとアニールしたBFO膜の酸素濃度を直接測定した。BFOの理想化学量論と比較して,堆積したままのBFO膜は10%以上酸素不足であることが分かった。しかし,堆積のままのBFO膜をポストアニーリングすると酸素不足がほぼ半分に減少した。アニールしたBFO膜の減少した酸素空孔は異なる漏れメカニズムの原因であり,漏れ電流密度が二桁低下すると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *材料 ,  *磁気電気効果 ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  レーザ蒸着 ,  エピタクシー ,  *薄膜成長 ,  酸素欠乏 ,  焼なまし ,  電流電圧特性 ,  空間電荷制限電流 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  Poole-Frenkel効果 ,  活性化エネルギー ,  空格子点 ,  *漏れ電流
準シソーラス用語： *マルチフェロイック ,  アニール ,  酸素空孔

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： BiFeO3 ,  薄膜 ,  酸素濃度 ,  漏れ電流