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J-GLOBAL ID：201002241857653572   整理番号：10A0672295

二酸化ケイ素に基づく膜の選択エッチング化学の式

Formulation of Selective Etch Chemistries for Silicon Dioxide-Based Films

著者 (3件)： PANDE Ashish A. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  LEVITIN Galit (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  HESS Dennis W. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 6  ページ： G147-G153  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HF水溶液はシリコンベース誘電体膜のエッチングに広く使用されている。使用する化学溶液と示唆されるエッチング機構に関する優れたレビューが入手できることから,本論ではこれらの研究をごく簡単に説明した。集積回路(IC)と微小電気機械システム製造における重要問題は,HFベース溶液を用いた各種SiO₂ベース膜のエッチング間の十分な選択性を得る方法である。一に近いホウリンケイ酸ガラス(BPSG)エッチング速度(ER)/熱酸化物(TOX)ERの選択度を達成する可能性を研究した。この問題を扱った研究は過去にいくつかあるが,表面粗さ,ウエハ全体のERの不均一性,界面活性剤添加の必要性が,望ましい結果を達成する能力を制限していた。

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *選択腐食 ,  フッ化水素 ,  水溶液 ,  *誘電体薄膜 ,  エッチング ,  集積回路 ,  MEMS ,  選択性 ,  ホウケイ酸ガラス ,  加工速度 ,  酸化物 ,  熱酸化 ,  表面粗さ ,  ウエハ【IC】 ,  不均一性 ,  界面活性剤 ,  添加
準シソーラス用語： BPSG【ガラス】 ,  エッチング速度 ,  *選択エッチング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二酸化ケイ素 ,  選択エッチング ,  化学