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J-GLOBAL ID：201002242114287470   整理番号：10A0135712

単一ドーパント原子の電界効果ケイ素トランジスタについて実現した三進論理

Ternary logic implemented on a single dopant atom field effect silicon transistor

著者 (7件)： KLEIN M. (The Fritz Haber Res. Center for Molecular Dynamics, The Hebrew Univ. of Jerusalem, Jerusalem 91904, ISR) ,  MOL J. A. (Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, NLD) ,  VERDUIJN J. (Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, NLD) ,  LANSBERGEN G. P. (Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, NLD) ,  ROGGE S. (Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, NLD) ,  LEVINE R. D. (The Fritz Haber Res. Center for Molecular Dynamics, The Hebrew Univ. of Jerusalem, Jerusalem 91904, ISR) ,  REMACLE F. (The Fritz Haber Res. Center for Molecular Dynamics, The Hebrew Univ. of Jerusalem, Jerusalem 91904, ISR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 4  ページ： 043107  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ひれ状電界効果トランジスタ(Fin-FET)に埋め込まれた単一ドーパント原子の荷電状態で実現した三値乗算器の原理についての実験証明をする。論理出力のロバストな読みを,デバイスを流れる電流と相互コンダクタンスを測定するため2つのチャネルを用いて可能にする。転圧利得を可能にするデータ読出法を提案する。横列のFin-FETトランジスタ配列に番地付けすることにより論理数を乗算できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ドーパント ,  フィン ,  *乗算器 ,  *三値論理 ,  ケイ素 ,  半導体
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 論理回路  (NC05070B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドーパント ,  原子 ,  電界効果 ,  ケイ素 ,  トランジスタ ,  論理