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J-GLOBAL ID：201002242140253126   整理番号：10A0538024

半導体-電解質界面でのキャリア収集の制御による配列した深い孔の直径の調整のための電気化学的エッチング過程

Electrochemical etching process to tune the diameter of arrayed deep pores by controlling carrier collection at a semiconductor-electrolyte interface

著者 (5件)： SATO Hirotaka (Dep. of Applied Chemistry, School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN) ,  YAMAGUCHI Takuya (Dep. of Applied Chemistry, School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN) ,  ISOBE Tetsuhiko (Dep. of Applied Chemistry, School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN) ,  SHOJI Shuichi (Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Okubo, Shinjuku-ku ...) ,  HOMMA Takayuki (Dep. of Applied Chemistry, School of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 12  号： 6  ページ： 765-768  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学的エッチング過程によるシリコンウエハ中に形成される高アスペクト比の孔の直径の制御のための方法について報告した。正孔(h⁺)はエッチング反応に関与し,h⁺の収集が重要因子であった。エッチングに先立って,人為的なマイクロキャビティーをシリコン表面に作製した。シリコン-電解質界面の空間電荷領域(SCR)の深さ,Schottky障壁を,マイクロキャビティーの深さに関して,印加過電圧およびシリコンウエハの比抵抗によって調整した。キャビティー部位の先端におけるh⁺の収集は調整されたSCRによって広範に制御された。その結果,キャビティー部位の電気化学的にエッチングされたドメインは能動的に調整され,制御された直径の高アスペクト比の孔が形成された。直径は,過電圧および比抵抗によって制御されたSCR深さによって調整された。その直径調整の機構はマスクを用いない条件下で機能した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *半導体 ,  *電解質 ,  界面 ,  *収集 ,  制御 ,  配列 ,  穴 ,  *細孔径 ,  調整 ,  *電解エッチング ,  正孔 ,  深さ ,  Schottky障壁 ,  過電圧 ,  電気抵抗率 ,  *多孔質シリコン ,  表面 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： *キャリア収集 ,  ドメイン ,  マスクレスリソグラフィー ,  印加電圧 ,  空間電荷層 ,  高アスペクト比 ,  先端 ,  微小空洞

分類 (4件)： 電気化学一般  (CB07010N) ,  界面化学一般  (CB12010J) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電解質 ,  界面 ,  キャリア収集 ,  直径 ,  電気化学 ,  エッチング ,  過程