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J-GLOBAL ID：201002242801097738   整理番号：10A0108752

多結晶ふっ化物(LiF,CaF₂およびBa₂)薄膜における電子スパッタリング収量に対する基板の効果

Substrate effect on electronic sputtering yield in polycrystalline fluoride (LiF, CaF₂ and BaF₂) thin films

著者 (6件)： KUMAR Manvendra (Nanophosphor Application Centre, Univ. of Allahabad, Allahabad 211 002, IND) ,  KUMAR Manvendra (Laboratorio Nazionale TASC-INFM, SS 14 Km 163.5, 34012 Trieste, ITA) ,  RAJPUT Parasmani (UGC-DAE Consortium for Scientific Res., Univ. campus, Indore 452017, IND) ,  KHAN S.a. (Inter Univ. Accelerator Centre, Post Box-10502, New Delhi 110 067, IND) ,  AVASTHI D.k. (Inter Univ. Accelerator Centre, Post Box-10502, New Delhi 110 067, IND) ,  PANDEY A.c. (Nanophosphor Application Centre, Univ. of Allahabad, Allahabad 211 002, IND)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 7  ページ： 2199-2204  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 120MeV Ag²⁵⁺イオン照射下で10および100nm厚さのふっ化物(LiF,CaF₂およびBa₂)薄膜の電子スパッタリングに対する基板の効果を調べた。絶縁性(ガラス)そして半伝導性(Si)基板上に堆積した膜のスパッタリング収量を弾性反跳検出解析法により決定した。結果は,スパッタリング収量がバルク材料/結晶に対して報告されているより高く,ガラス基板上のLiF膜に対しては7.4×10⁶atoms/ionまで達することを明らかにしたが,Si基板上に堆積した膜に対しては低い収量値(2.3×10⁶atoms/ion)を観測した。バルク材料と比較して薄膜に対する収量が増大することは,堆積に用いる絶縁体基板と膜次元低減の結合効果である。結果は,薄膜における基板および寸法効果とともに熱スパイク模型の枠内で説明される。より高いバンドギャップをもつ材料がより高いスパッタリング収率を示すことも観測した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多結晶 ,  フッ化カルシウム ,  フッ化バリウム ,  フッ化リチウム ,  *フッ化物 ,  *スパッタリング ,  *収率 ,  電子照射 ,  *基板 ,  ケイ素

分類 (1件)： スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 多結晶 ,  ふっ化物 ,  LIF ,  CaF2 ,  薄膜 ,  電子 ,  スパッタリング ,  収量